词条 | 霍耳效应 |
释义 | Huo'er xiaoying 霍耳效应(卷名:物理学) Hall effect 当通有电流的导体或半导体置于与电流方向垂直的磁场中时,在垂直于电流和磁场的方向,物体两侧之间会产生一横向电场。这种现象称为霍耳效应,1879年首先为美国E.H.霍耳对铜箔做实验时发现。 当电流密度J沿x方向,磁感应强度B沿z方向,则所产生的霍耳电场E(在y方向,与J和B成正比,即E=RJB。比例系数R称为霍耳系数。霍耳效应,是因外加磁场使漂移运动的电子或别的载流子(见半导体物理学)发生横向偏转而形成的。只有一种载流子时,霍耳系数与物体中载流子浓度成反比,霍耳系数的正负号决定于载流子是正电荷还是负电荷。 金属的霍耳系数一般为负值,但有些金属如铍、砷等的霍耳系数为正值,这与金属的自由电子模型发生分歧,需用能带论加以解释。半导体的霍耳系数常常比金属大,N型和P型半导体的霍耳系数分别为负值和正值,表明载流子分别为电子和空穴。本征半导体中,电子和空穴都对霍耳系数有影响。 霍耳效应被用来测定固体的导电类型,载流子浓度以及载流子的霍耳迁移率。各种利用霍耳效应的器件(称霍耳器件),如磁强计、安培计、瓦特计、模拟乘法器、磁罗盘等等,已得到发展和应用。 |
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