出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料
| 词条 | 原子层外延 |
| 释义 | 原子层外延 原子层外延 以不同的表面反应为基础，分步骤进行的外延生长方法。以控制表面上生长的材料来控制外延层生长。外延层的厚度取决于淀积层的周期数与生长材料的晶胞参数。影响其生长的关键因素是衬底的温度。其他的生长条件包括束流密度、均匀性、稳定性等。可选原材料范围广，除了可生长制备第13-第15族、第2-第16族等化合物，以及第16族元素半导体的超晶格微结构外，还可生长一些用其他方法难以生长的材料，如某些氧化物、氮化物和碳化物等。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
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