出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术
| 词条 | 反应离子刻蚀 |
| 释义 | 反应离子刻蚀 反应离子刻蚀 利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料达到刻蚀目的的工艺。是一种半导体生产加工工艺。气体在低压（真空）环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击芯片表面并与之反应，完成刻蚀作用。是物理和化学的总和作用。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术 反应离子刻蚀 同时兼有物理和化学两种作用的刻蚀工艺。是一种在超大规模集成电路工艺中很有发展前景的刻蚀工艺。辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行。硅片处于阴极电位，放电时的电位大部分降落在阴极附近。大量带电粒子受垂直于硅片表面受电场加速，垂直入射到硅片表面上，以较大的动量进行物理刻蚀，同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应，产生化学刻蚀作用。选择合适的气体组分，不仅可获得理想的刻蚀选择性和速度，还可使活性基团的寿命缩短，有效地抑制因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，大大提高了刻蚀的各向异性特性。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 信息储存材料 |
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