出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 场效应晶体管 |
| 释义 | 场效应晶体管 场效应晶体管 亦称“单极型晶体管”。利用输入电压的电场控制输出电流的一种半导体器件。只有一种极性载流子参与导电过程。在一块n型半导体材料的两边各扩散一个高掺杂的p区，形成两个pn结。把两个p区并联在一起，就构成了一个场效应晶体管。两个p区并联引出一个电极，称“栅极”（g），在n型半导体的两端各引出一个电极，分别称“源极”（s）和“漏极”（d）。它们分别与双极型晶体管的基极（b）、发射极（e）和集电极（c）相对应。常见的场效应晶体管有结型场效应晶体管、金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管等，适于放大、振荡、开关等应用，具有输入阻抗高和抗辐射能力强等特点。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 场效应晶体管 利用输入电压的电场控制输出电流的一种半导体器件。由于只有一种极性的载流子(电子或空穴)参与导电过程,故又称“单极型晶体管”。可分为结型场效应晶体管和金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管两大类,均可做放大、振荡、开关等应用,其特点是输入阻抗高和抗辐射能力强。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 |
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