出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 积累层 |
| 释义 | 积累层 积累层 半导体表面在外电场作用下形成的多数载流子浓度超过体内的一薄层区域。例如，在n型硅表面生长一层二氧化硅后，二氧化硅中正电荷产生的电场，将使n型硅中的多数载流子电子移向表面，而少数载流子空穴则离开表面，于是在靠近表面处形成一个电子浓度超过体内的强n型积累层。如果在p型硅表面加上一个垂直于表面的负电场，表面的空穴浓度就会超过体内，形成一个强p型积累层。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 积累层 半导体表面在外电场作用下形成的多数载流子浓度超过体内的一薄层区域。例如,在n型硅表面生长一层二氧化硅后,二氧化硅中正电荷产生的电场,将使n型硅中的多数载流子电子移向表面,而少数载流子空穴则离开表面,于是在靠近表面处形成一个电子浓度超过体内的强n型积累层。如果在p型硅表面加上一个垂直于表面的负电场,表面的空穴浓度就会超过体内,形成一个强p型积累层。积累层和表面反型层都是分析半导体表面特性时常用的重要概念。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 |
| 随便看 |
百科全书收录258893条中英文百科知识，基本涵盖了大多数领域的百科知识，是一部内容开放、自由的电子版百科全书。