出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 翘曲效应 |
| 释义 | 翘曲效应 翘曲效应 沟道漏电极电流和沟道漏极电压的非饱和特性。是绝缘体上硅结构中的一个独特现象。产生的原因有二：（1） 绝缘体上硅没有接地，形成电位浮空，当漏极的反偏pn结流过电流时，会使硅层的电位提高，从而增加沟道电导，故随着漏电压的增大，漏电流也增大，形成非饱和特性。（2） 在高的漏电压下，漏端附近的载流子会产生雪崩倍增，从而使漏极电流随漏极电压而迅速增加。若把硅层连接到源电极上，则可明显改善漏极电流-电压的饱和特性。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
| 随便看 |
百科全书收录258893条中英文百科知识，基本涵盖了大多数领域的百科知识，是一部内容开放、自由的电子版百科全书。