出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 沟道热电子注入效应 |
| 释义 | 沟道热电子注入效应 沟道热电子注入效应 亦称“沟道雪崩注入效应”。沟道中部分高能量的热电子往栅氧化层注入的一种现象。当沟道中电场很强时，由于漏结雪崩击穿或沟道雪崩击穿倍增出的电子，若在两次碰撞之间积累起的能量足以跨越硅-二氧化硅界面势垒，则这些热电子就有可能注入栅氧化层中。这种效应将使得源-漏击穿特性发生蠕变，击穿时电流越大，注入栅氧化层的电荷越多，蠕变就越快。还可导致器件发生热电子退化而失效。另一方面，也可以利用这种效应来实现新型功能的器件，制成可擦编程只读存储器等。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 |
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