出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 绝缘体上锗材料 |
| 释义 | 绝缘体上锗材料 绝缘体上锗材料 英语缩写GOI。由绝缘衬底层和锗层组成的半导体材料。是一种高端硅基衬底材料。采用智能剥离等方法制备。和硅互补金属氧化物半导体工艺兼容，因锗能够有选择地放置在光电探测器所在的区域，故新的探测器与标准的微芯片技术兼容。这种兼容性使得有可能在同一芯片上集成光电电路。还可作为应变硅结构的衬底材料。对高性能互补金属氧化物半导体电路、光电探测器和太阳能电池都具有十分重要的意义。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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