出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 注氧隔离技术 |
| 释义 | 注氧隔离技术 注氧隔离技术 英语缩写SIMOX。通过在硅等半导体材料中注入氧离子并经高温退火制备绝缘体上硅材料的技术。是最为成熟的绝缘体上硅技术之一。其原理是：先将一定能量、高剂量氧注入单晶硅中。为防止硅在注入过程中非晶化，在注入过程衬底中需要保持一定温度。注入完成后在高温下退火，减少或消除注入产生的缺陷，并形成界面陡直的二氧化硅埋层。厚度均匀，尤其适于制作薄膜绝缘体上硅材料。但需昂贵的大束流注氧专用机和专用退火炉进行高温（大于等于1300℃）长时间（约5小时）退火，成本较高。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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