出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体材料
| 词条 | 应变硅 |
| 释义 | 应变硅 应变硅 通过某种工艺或材料引入应力，造成硅晶格畸变，使载流子迁移率大大提高的薄层单晶硅。其制备技术有两种：一是直接利用硅和硅锗之间晶格失配形成整个衬底硅片上的应力，这种应力通常是双轴的，称“全局应力”；二是利用集成电路工艺中浅槽隔离、侧墙、硅化物、氮化硅覆盖以及硅锗源漏等技术引入的局部工艺诱生应力，称“单轴应力”或“局域应力”。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体材料 应变硅 硅晶格经四方畸变，在生长平面内具有双轴张应变的薄层单晶硅。通过在硅中增大应力使硅原子之间的距离拉大，从而减少载流子流动的阻碍，因此其迁移率得到很大的提升。由于能带结构上的变化导致载流子有效质量降低，又因兼并度的降低，载流子的带间散射降低，从而迁移率上升。其制备技术有两类：（1） 在晶体管制作前在衬底上形成应变硅晶片，称“全局”方案；（2） 在晶体管周围通过“局部”膜层引入应变，即工艺致应变。而“全局”方案是整个衬底内存在应变，为双轴应变；工艺致应变只在一个方向上产生应变，为单轴应变。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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