出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术
| 词条 | 区熔法 |
| 释义 | 区熔法 区熔法 一种生长出单晶的方法。利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶，调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根晶向与籽晶相同的单晶。分水平区熔法和立式悬浮区熔法。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术 区熔法 将一个多晶料棒通过一个狭窄的高温区，形成一个窄的熔区，移动料棒或加热体使熔区产生相对移动而结晶的晶体生长方法。由于杂质在固液相中分凝系数的不同，可用来提纯原料和生长单晶。有水平区熔法和依靠表面张力的浮区熔炼法两种。可采用电阻加热或频率加热。采用光学加热的称“光学浮区法”。 出处：材料科学卷 • 无机非金属材料 • 晶体 |
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