化学式GaP。一种重要的化合物半导体发光材料。为半透明琥珀色多晶。熔点1 465℃。由镓和红磷在高温和高压下合成而得。多晶在6×10⁶帕的高压单晶炉内可拉制成单晶，是间接跃迁型半导体。以单晶作为衬底材料可外延生长高效率的磷砷镓和磷化镓发光材料，外延时引入的等电子陷阱杂质发光中心能使间接跃迁型转变为类直接跃迁型，从而大大提高了发光效率，是可见光发光器的主要材料。用于制红、橙、黄、绿等色发光二极管等。