利用霍耳效应制成的半导体器件。通以电流的半导体放在与电流方向垂直的磁场中，在垂直于电流和磁场的方向上会出现一种电动势叫“霍耳电势差”。由于霍耳电势差与电流和磁场强度之积成正比，故霍耳器件可用于磁场测量。