出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 超晶格 |
| 释义 | 超晶格 超晶格 由两种成分不同的单晶薄膜周期性交替叠合在一起而形成的多层晶格结构。一般每层薄膜的厚度只有十几至几十层原子，常用分子束外延技术生长而成。具有这种结构的晶体，沿其厚度方向，成分是周期性变化的，且变化周期可小于电子在晶体中的平均自由程，故称“超晶格”。具有一些在正常晶格中所没有的物理性质。最早发展起来的半导体超晶格是砷化镓与镓铝砷系统，后又发展到各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅵ族等半导体超晶格、金属超晶格以及磁性超晶格等。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 超晶格 由两种极薄的、不同成分单晶薄膜周期性交替叠合在一起而形成的多层晶格结构。每层薄膜的厚度只有十几至几十层原子,用分子束外延技术生长而成。具有这种结构的晶体,沿其厚度方向,晶体的成分是周期性变化的,而且它的周期比电子在晶体中的平均自由程还小,只有十几至几十个原子间距,故称超晶格。具有一些在正常晶格中所没有的新物理性质。最早发展起来的半导体超晶格是砷化镓(GaAs)与镓铝砷(Ga 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 |
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