出处：材料科学卷 • 金属材料 • 表面改性
| 词条 | 离子注入 |
| 释义 | 离子注入 离子注入 在真空条件下，将气体或金属元素的蒸汽进行电离，经高压电场加速成高能束后强行注入固体表面的表面改性技术。原则上，所有稳定元素都可以注入到任何基体材料。注入元素的种类、能量、剂量都可精确控制。在半导体微电子领域，被广泛用于掺杂、制作绝缘隔离层、形成硅化物及合成新材料等。还可用于改善金属、合金等材料的性能，能保持工件的原有尺寸精度，改性后的基体性能不受影响。表面改性层和基体之间不存在突变界面。 出处：材料科学卷 • 金属材料 • 表面改性 离子注入 亦称“离子掺杂”。常用于半导体掺杂和pn结制作的技术。方法是将杂质离子在真空中加速到一定能量后，打到半导体晶片上，高速的离子穿透晶体表面进入体内，与晶体的原子不断碰撞降低速度，终止在一定的深度，从而达到掺杂的目的。同制作pn结的杂质扩散方法相比较，离子注入具有掺杂温度较低，可以精确控制杂质分布，获得浅结等优点，在制造微波晶体管、场效应晶体管等方面应用较广。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体加工技术 离子注入 亦称“离子掺杂”。常用于半导体掺杂和pn结制作技术。方法是将杂质离子在真空中加速到一定能量后,打到半导体晶片上,高速的离子穿透晶体表面进入体内,与晶体的原子不断碰撞降低速度,终止在一定的深度,从而达到掺杂的目的。同制作pn结的杂质扩散方法相比较,离子注入具有:掺杂温度较低,可以精确控制杂质分布,获得浅结等优点,在制造微波晶体管、场效应晶体管等方面应用较广。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 |
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