出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
| 词条 | 多孔硅 |
| 释义 | 多孔硅 多孔硅 以硅为原材料，利用以氢氟酸为基的电介液中阳极氧化等方法制成的多孔性材料。空隙度一般在60％～90％，表面积很大。制备方法有：（1） 化学腐蚀法，使用腐蚀液对硅片表面进行腐蚀得到多孔硅；（2） 火花腐蚀法，利用直流脉冲高压在以硅片作为阴极，金属钨制成的针尖作为阳极的狭小缝隙中放电制备多孔硅；（3） 水热腐蚀法，利用硅片和腐蚀液在水热釜中反应生成多孔硅；（4） 阳极氧化法，以硅为原材料，在以氢氟酸为基的电介液中阳极氧化制成的多孔硅。其中，阳极氧化法是最普遍使用的方法。应用主要有两方面：（1） 制备发光器件，如多孔硅电致发光二极管，其量子效率已接近于实用水平；（2） 制备多孔硅传感器，因其有巨大内表面积，可灵敏检测有毒气体、溶剂、炸药、DNA和蛋白质等。为硅这种最重要的微电子材料的光电子应用开拓了前景。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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