出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学
| 词条 | 窄禁带半导体 |
| 释义 | 窄禁带半导体 窄禁带半导体 禁带宽度小于0.26电子伏的半导体。一般以禁带宽度为室温下kT值的十倍为界来衡量,其中k为玻耳兹曼常数,T为热力学温度,室温时的kT为0.026电子伏。大都是锑的化合物和硫族化合物,如锑化铟、硫化铅、硒化铅以及碲镉汞、碲铅锡等。它们的晶体结构一般是闪锌矿型。主要用来制作红外光电器件,如各种高速灵敏的红外探测器、异质结激光器和光波导,还可用来制作霍耳器件、磁阻器件、热电器件、热磁器件等。 出处：数理化力学卷 • 物 理 • 固体物理学 |
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