出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术
| 词条 | 局部硅氧化 |
| 释义 | 局部硅氧化 局部硅氧化 硅集成电路中，通过选择氧化的工艺来形成隔离区的一种方法。具体步骤是：首先通过热氧化形成一层薄（0.05～0.1微米）的二氧化硅膜（称“缓冲氧化膜”）；然后用热化学气相沉积方法生长一层氮化硅薄膜（0.05～0.1微米），接着在这双层膜上光刻出有源区图形（除去有源区以外的二氧化硅膜和氮化硅膜）；最后，以留下的氮化硅膜作掩模，利用氧化速度很快的湿法氧化技术，在有源区以外形成一层较厚（0.5～1微米）的二氧化硅膜，这层较厚的氧化膜就起着隔离墙的作用。这种方法所形成的二氧化硅膜是以半埋入方式存在的，出现的台阶高度比较小；但会产生鸟嘴效应，使工艺受到了限制。 出处：信息科学卷 • 微电子 • 半导体器件与技术 |
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