由Ⅲ族Al、Ga、In和V族P、As、Sb元素的化合物或固溶体制成的器件。有二元系、三元系和四元系等。具有电子迁移率高、光学性能好等优点。通过不同成分、组分和结构的变化，可形成异质结、多量子阱和超晶格等，实现器件需要的电、光学性能（所谓“能带工程”）。已出现InGaAsP/InP双异质(DH)激光器，GaAlAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)和InGaAs/InPMSM光电探测器等。在超高速电子学、光电子学和光电子集成中占重要地位。