用半导体作为探测介质的辐射探测器。特点是能量分辨本领好，分辨时间快。常用的有三种类型：(1)金硅面垒型，在一块n型硅单晶片上喷涂一层金膜，在金硅交界面附近形成一个高阻区。(2)锗(或硅)一锂漂移型，使适量的锂均匀地漂移进一块p型锗(或硅)单晶，形成高阻区。(3)高纯锗(或硅)单晶。使用时，探测器上接反向电压，当有射线进入高阻区时，损耗能量产生电子一空穴对，在电场作用下，电子空穴被收集，就有电信号输出，再利用电子仪器记录。金硅面垒探测器适用于测量带电粒子。用锗探测器测量γ射线的能量分辨率特别好，只是一定要在低温