在一块半导体中，由于掺杂不同而形成的n型区域和p型区域的交界层。pn结很薄，结中电子和空穴都很少，但在靠近n型一边有带正电荷的离子，p型一边有带负电荷的离子，因而在结中形成很强的局部电场，方向由n区指向p区。当结上加正向电压（即电压的正端加在p区，电压的负端加在n区）时，结中电场减弱，n区中的电子和p区中的空穴都容易通过，因而电流较大；当外加电压方向相反时，则结中电场增强，只有原在n区中的少数空穴和p区中的少数电子能通过，因而电流很小。因此，pn结具有整流作用。当具有pn结的半导体受到光照时，其中电子和空穴的数目增多，在结的局部电场作用下，p区的电子移到n区，n区的空穴移到p区，这样在结的两端就有电荷累积，形成电势差。这现象称为pn结的*光伏效应。由于这些特性，用pn结可制成半导体二极管和光电池等器件。